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IXFC 16N50P
26
24
22
20
Fig. 7. Transconductance
70
60
Fig. 8. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
18
16
14
12
10
T J = - 40oC
25oC
125oC
50
40
30
8
6
4
2
0
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
10,000
V SD - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
V DS = 250V
f = 1 MHz
8
7
I D = 8A
I G = 10mA
1,000
C iss
6
5
100
C oss
4
3
10
2
1
0
1
C rss
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q G - NanoCoulombs
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area
V DS - Volts
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
100
R DS(on) Limit
25μs
10.00
Resistance
10
1
0
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
100μs
1ms
10m
1.00
0.10
0.01
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
P ulse W idth - S econds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_16N50P (57-745) 11-30-05-A.XLS
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